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Composants de circuit intégré d'emballage standard EMB51T2R
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
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Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 5mA |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Package composant fournisseur | EMT6 |
Séries | - |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 22 kOhms |
Résistance - Base (R1) | 22 kOhms |
Puissance - Max | 150mW |
Emballage | Cut Tape (CT) |
Package / Boîte | SOT-563, SOT-666 |
Autres noms | EMB51T2RCT |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 30mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 30mA |