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Composants de circuit intégré d'emballage standard KSD1616ALTA
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 60V |
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Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 50mA, 1A |
Transistor Type | NPN |
Package composant fournisseur | TO-92-3 |
Séries | - |
Puissance - Max | 750mW |
Emballage | Tape & Box (TB) |
Package / Boîte | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Autres noms | KSD1616ALTA-ND KSD1616ALTATB |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 2 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition | 160MHz |
Description détaillée | Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 1A 160MHz 750mW Through Hole TO-92-3 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 100mA, 2V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 1A |
Numéro de pièce de base | KSD1616 |