AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleHN4K03JUTE85LF
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HN4K03JUTE85LF
- Méga source #: MEGA-HN4K03JUTE85LF
- Fabricant: TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
- Emballage: Tape & Reel (TR)
- La description: MOSFET N-CH 20V 0.1A USV
- Rohs conforme: Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Datasheet:
Notre certification
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En stock: 52395
Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard HN4K03JUTE85LF
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
|---|---|
| Vgs (Max) | 10V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | USV |
| Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 Ohm @ 10mA, 2.5V |
| Dissipation de puissance (max) | 200mW (Ta) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
| Autres noms | HN4K03JU(TE85L,F) HN4K03JUTE85LFTR |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 8.5pF @ 3V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 2.5V |
| Tension drain-source (Vdss) | 20V |
| Description détaillée | N-Channel 20V 100mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount USV |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 100mA (Ta) |
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HN4K03JUTE85LF FAQ
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