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Composants de circuit intégré d'emballage standard DMN2005LP4K-7
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 100µA |
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Vgs (Max) | ±10V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | X2-DFN1006-3 |
Séries | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 10mA, 4V |
Dissipation de puissance (max) | 400mW (Ta) |
Emballage | Cut Tape (CT) |
Package / Boîte | 3-XFDFN |
Autres noms | DMN2005LP4KDICT |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 20 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 41pF @ 3V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.5V, 4V |
Tension drain-source (Vdss) | 20V |
Description détaillée | N-Channel 20V 200mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 200mA (Ta) |