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Composants de circuit intégré d'emballage standard SPP80P06PHXKSA1
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 5.5mA |
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Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | PG-TO220-3-1 |
Séries | SIPMOS® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 64A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 340W (Tc) |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | TO-220-3 |
Autres noms | SP000441774 SPP80P06P G SPP80P06P G-ND SPP80P06P H SPP80P06P H-ND SPP80P06PH |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5033pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 173nC @ 10V |
type de FET | P-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 60V |
Description détaillée | P-Channel 60V 80A (Tc) 340W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 80A (Tc) |