L'étiquette et le marquage corporel de l'IXFL82N60P peuvent être fournis après la commande.
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Composants de circuit intégré d'emballage standard IXFL82N60P
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
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Vgs (Max) | ±30V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | ISOPLUS264™ |
Séries | HiPerFET™, PolarHT™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78 mOhm @ 41A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 625W (Tc) |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | ISOPLUS264™ |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 26 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 23000pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 240nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 600V |
Description détaillée | N-Channel 600V 55A (Tc) 625W (Tc) Through Hole ISOPLUS264™ |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 55A (Tc) |