AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaires (BJT) - SingleJANTXV2N6353
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JANTXV2N6353
- Méga source #: MEGA-JANTXV2N6353
- Fabricant: Microsemi
- Emballage: Bulk
- La description: TRANS NPN DARL 150V 5A TO-33
- Rohs conforme: Contient du plomb / Non conforme à RoHS
- Datasheet:
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En stock: 51358
Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard JANTXV2N6353
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 150V |
|---|---|
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 10mA, 5A |
| Transistor Type | NPN - Darlington |
| Package composant fournisseur | TO-66 (TO-213AA) |
| Séries | Military, MIL-PRF-19500/472 |
| Puissance - Max | 2W |
| Emballage | Bulk |
| Package / Boîte | TO-213AA, TO-66-2 |
| Autres noms | 1086-16206 1086-16206-MIL |
| Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Fréquence - Transition | - |
| Description détaillée | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 150V 5A 2W Through Hole TO-66 (TO-213AA) |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 5A, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | - |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 5A |
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