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SI9926CDY-T1-GE3
- Méga source #: MEGA-SI9926CDY-T1-GE3
- Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
- Emballage: Cut Tape (CT)
- La description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC
- Rohs conforme: Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Datasheet:
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En stock: 53548
Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard SI9926CDY-T1-GE3
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Package composant fournisseur | 8-SO |
| Séries | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 8.3A, 4.5V |
| Puissance - Max | 3.1W |
| Emballage | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Autres noms | SI9926CDY-T1-GE3CT |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 27 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V |
| type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Fonction FET | Logic Level Gate |
| Tension drain-source (Vdss) | 20V |
| Description détaillée | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 8A |
| Numéro de pièce de base | SI9926 |
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