AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleHUF76407D3ST
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HUF76407D3ST
- Méga source #: MEGA-HUF76407D3ST
- Fabricant: Fairchild (onsemi)
- Emballage: Cut Tape (CT)
- La description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
- Rohs conforme: Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Datasheet:
Notre certification
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En stock: 53886
Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard HUF76407D3ST
| Tension - Test | 350pF @ 25V |
|---|---|
| Tension - Ventilation | TO-252AA |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 92 mOhm @ 13A, 10V |
| Vgs (Max) | 4.5V, 10V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Séries | UltraFET™ |
| État RoHS | Cut Tape (CT) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12A (Tc) |
| Polarisation | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Autres noms | HUF76407D3STFSCT |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 6 Weeks |
| Référence fabricant | HUF76407D3ST |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 11.3nC @ 10V |
| type de IGBT | ±16V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 3V @ 250µA |
| Fonction FET | N-Channel |
| Description élargie | N-Channel 60V 12A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount TO-252AA |
| Tension drain-source (Vdss) | - |
| La description | MOSFET N-CH 60V 12A DPAK |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 60V |
| Ratio de capacité | 38W (Tc) |
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