AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - SingleMMIX1G320N60B3
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MMIX1G320N60B3
- Méga source #: MEGA-MMIX1G320N60B3
- Fabricant: IXYS / Littelfuse
- Emballage:
- La description: MOSFET N-CH
- Rohs conforme:
- Datasheet:
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Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard MMIX1G320N60B3
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 600V |
|---|---|
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic | 1.5V @ 15V, 100A |
| Condition de test | 480V, 100A, 1 Ohm, 15V |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 44ns/250ns |
| énergie de commutation | 2.7mJ (on), 5mJ (off) |
| Package composant fournisseur | 24-SMPD |
| Séries | GenX3™ |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | 66ns |
| Puissance - Max | 1000W |
| Package / Boîte | 24-PowerSMD, 21 Leads |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Délai de livraison standard du fabricant | 26 Weeks |
| Type d'entrée | Standard |
| type de IGBT | PT |
| gate charge | 585nC |
| Description détaillée | IGBT PT 600V 400A 1000W Surface Mount 24-SMPD |
| Courant - Collecteur pulsée (Icm) | 1000A |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 400A |
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