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Composants de circuit intégré d'emballage standard SI4622DY-T1-GE3
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
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Package composant fournisseur | 8-SO |
Séries | SkyFET®, TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 9.6A, 10V |
Puissance - Max | 3.3W, 3.1W |
Emballage | Cut Tape (CT) |
Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Autres noms | SI4622DY-T1-GE3CT |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2458pF @ 15V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Fonction FET | Standard |
Tension drain-source (Vdss) | 30V |
Description détaillée | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.3W, 3.1W Surface Mount 8-SO |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 8A |
Numéro de pièce de base | SI4622 |