L'étiquette et le marquage corporel de l'APTML10UM09R004T1AG peuvent être fournis après la commande.
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Composants de circuit intégré d'emballage standard APTML10UM09R004T1AG
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
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Vgs (Max) | ±30V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | SP1 |
Séries | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 69.5A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 480W (Tc) |
Emballage | Bulk |
Package / Boîte | SP1 |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 9875pF @ 25V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 100V |
Description détaillée | N-Channel 100V 154A (Tc) 480W (Tc) Chassis Mount SP1 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 154A (Tc) |