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Composants de circuit intégré d'emballage standard CSD16323Q3C
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
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Vgs (Max) | +10V, -8V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | 8-SON-EP (3x3) |
Séries | NexFET™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 24A, 8V |
Dissipation de puissance (max) | 3W (Ta) |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | 8-PowerTDFN |
Autres noms | 296-28096-2 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 12.5V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 8.4nC @ 4.5V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 3V, 8V |
Tension drain-source (Vdss) | 25V |
Description détaillée | N-Channel 25V 21A (Ta), 60A (Tc) 3W (Ta) Surface Mount 8-SON-EP (3x3) |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 21A (Ta), 60A (Tc) |