L'étiquette et le marquage corporel de l'BFP640FESDH6327XTSA1 peuvent être fournis après la commande.
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Composants de circuit intégré d'emballage standard BFP640FESDH6327XTSA1
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 4.7V |
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Transistor Type | NPN |
Package composant fournisseur | 4-TSFP |
Séries | - |
Puissance - Max | 200mW |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | 4-SMD, Flat Leads |
Autres noms | BFP 640FESD H6327 BFP 640FESD H6327-ND BFP640FESDH6327XTSA1TR SP000890034 |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 10 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Gain | 8B ~ 30.5dB |
Fréquence - Transition | 46GHz |
Description détaillée | RF Transistor NPN 4.7V 50mA 46GHz 200mW Surface Mount 4-TSFP |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 110 @ 30mA, 3V |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 50mA |
Numéro de pièce de base | BFP640 |