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HUF75631S3ST
- Méga source #: MEGA-HUF75631S3ST
- Fabricant: Fairchild (onsemi)
- Emballage: Cut Tape (CT)
- La description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
- Rohs conforme: Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Datasheet:
Notre certification
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En stock: 55805
Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard HUF75631S3ST
| Tension - Test | 1220pF @ 25V |
|---|---|
| Tension - Ventilation | D²PAK (TO-263AB) |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 40 mOhm @ 33A, 10V |
| Vgs (Max) | 10V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Séries | UltraFET™ |
| État RoHS | Cut Tape (CT) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33A (Tc) |
| Polarisation | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Autres noms | HUF75631S3STFSCT |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 9 Weeks |
| Référence fabricant | HUF75631S3ST |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 79nC @ 20V |
| type de IGBT | ±20V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 4V @ 250µA |
| Fonction FET | N-Channel |
| Description élargie | N-Channel 100V 33A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Tension drain-source (Vdss) | - |
| La description | MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 100V |
| Ratio de capacité | 120W (Tc) |
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