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Composants de circuit intégré d'emballage standard IRF830AS
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±30V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | D2PAK |
Séries | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 3A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 3.1W (Ta), 74W (Tc) |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Autres noms | *IRF830AS |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 620pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 500V |
Description détaillée | N-Channel 500V 5A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount D2PAK |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 5A (Tc) |