AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNTMFS5C410NLT1G
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NTMFS5C410NLT1G
- Méga source #: MEGA-NTMFS5C410NLT1G
- Fabricant: AMI Semiconductor/onsemi
- Emballage: Tape & Reel (TR)
- La description: MOSFET N-CH 40V 46A SO8FL
- Rohs conforme: Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Datasheet:
Notre certification
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En stock: 56170
Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard NTMFS5C410NLT1G
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.9 mOhm @ 50A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 3.2W (Ta), 139W (Tc) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | 8-PowerTDFN |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 42 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 8862pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 143nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 40V |
| Description détaillée | N-Channel 40V 46A (Ta), 302A (Tc) 3.2W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 46A (Ta), 302A (Tc) |
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