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Composants de circuit intégré d'emballage standard IRF7759L2TR1PBF
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | DIRECTFET L8 |
Séries | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 mOhm @ 96A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 3.3W (Ta), 125W (Tc) |
Emballage | Cut Tape (CT) |
Package / Boîte | DirectFET™ Isometric L8 |
Autres noms | IRF7759L2TR1PBFCT |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 12222pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 75V |
Description détaillée | N-Channel 75V 26A (Ta), 375A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DIRECTFET L8 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 26A (Ta), 375A (Tc) |