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Composants de circuit intégré d'emballage standard ES6U2T2R
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
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Vgs (Max) | ±10V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | 6-WEMT |
Séries | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Dissipation de puissance (max) | 700mW (Ta) |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | SOT-563, SOT-666 |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 10V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 1.8nC @ 4.5V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | Schottky Diode (Isolated) |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.5V, 4.5V |
Tension drain-source (Vdss) | 20V |
Description détaillée | N-Channel 20V 1.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 1.5A (Ta) |