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Composants de circuit intégré d'emballage standard 1N8034-GA
Tension - Inverse de crête (max) | Silicon Carbide Schottky |
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Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 9.4A (DC) |
Tension - Ventilation | TO-257 |
Séries | - |
État RoHS | Tube |
Temps de recouvrement inverse (trr) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Résistance @ Si, F | 1107pF @ 1V, 1MHz |
Polarisation | TO-257-3 |
Autres noms | 1242-1121 1N8034GA |
Température d'utilisation - Jonction | 0ns |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant | 1N8034-GA |
Description élargie | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 9.4A (DC) Through Hole TO-257 |
Configuration diode | 5µA @ 650V |
La description | DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257 |
Courant - fuite, inverse à Vr | 1.34V @ 10A |
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) | 650V |
Capacité à Vr, F | -55°C ~ 250°C |