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Composants de circuit intégré d'emballage standard SI3467DV-T1-E3
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | 6-TSOP |
Séries | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 54 mOhm @ 5A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 1.14W (Ta) |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Autres noms | SI3467DV-T1-E3TR |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 21 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
type de FET | P-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 20V |
Description détaillée | P-Channel 20V 3.8A (Ta) 1.14W (Ta) Surface Mount 6-TSOP |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 3.8A (Ta) |