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Composants de circuit intégré d'emballage standard MDS150
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 60V |
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Transistor Type | NPN |
Package composant fournisseur | 55AW |
Séries | - |
Puissance - Max | 350W |
Emballage | Bulk |
Package / Boîte | 55AW |
Température de fonctionnement | 200°C (TJ) |
Noise Figure (dB Typ @ f) | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Gain | 10dB |
Fréquence - Transition | 1.03GHz ~ 1.09GHz |
Description détaillée | RF Transistor NPN 60V 4A 1.03GHz ~ 1.09GHz 350W Chassis Mount 55AW |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 500mA, 5V |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 4A |