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Composants de circuit intégré d'emballage standard C2M0280120D
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1.25mA (Typ) |
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Vgs (Max) | +25V, -10V |
La technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
Package composant fournisseur | TO-247-3 |
Séries | Z-FET™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 370 mOhm @ 6A, 20V |
Dissipation de puissance (max) | 62.5W (Tc) |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | TO-247-3 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 52 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 259pF @ 1000V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 20.4nC @ 20V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 20V |
Tension drain-source (Vdss) | 1200V |
Description détaillée | N-Channel 1200V 10A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 10A (Tc) |