L'étiquette et le marquage corporel de l'64-0055PBF peuvent être fournis après la commande.
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Composants de circuit intégré d'emballage standard 64-0055PBF
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Séries | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 75A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 230W (Tc) |
Emballage | Tube |
Autres noms | SP001553580 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4520pF @ 50V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 60V |
Description détaillée | N-Channel 60V 160A (Tc) 230W (Tc) Through Hole |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 160A (Tc) |