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Composants de circuit intégré d'emballage standard IRF6898MTR1PBF
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 100µA |
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Vgs (Max) | ±16V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | DIRECTFET™ MX |
Séries | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1 mOhm @ 35A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 2.1W (Ta), 78W (Tc) |
Emballage | Cut Tape (CT) |
Package / Boîte | DirectFET™ Isometric MX |
Autres noms | IRF6898MTR1PBFCT |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5435pF @ 13V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 4.5V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | Schottky Diode (Body) |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 25V |
Description détaillée | N-Channel 25V 35A (Ta), 213A (Tc) 2.1W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 35A (Ta), 213A (Tc) |