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Composants de circuit intégré d'emballage standard STP10NM65N
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±25V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | TO-220AB |
Séries | MDmesh™ II |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480 mOhm @ 4.5A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 90W (Tc) |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | TO-220-3 |
Autres noms | 497-7499-5 STP10NM65N-ND |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 850pF @ 50V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 650V |
Description détaillée | N-Channel 650V 9A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220AB |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 9A (Tc) |