AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAPT9F100S
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APT9F100S
- Méga source #: MEGA-APT9F100S
- Fabricant: Microsemi
- Emballage: Tube
- La description: MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK
- Rohs conforme: Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Datasheet:
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En stock: 59150
Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard APT9F100S
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±30V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | D3Pak |
| Séries | POWER MOS 8™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6 Ohm @ 5A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 337W (Tc) |
| Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2606pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 1000V |
| Description détaillée | N-Channel 1000V 9A (Tc) 337W (Tc) Surface Mount D3Pak |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 9A (Tc) |
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APT9F100S FAQ
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