AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF6215L
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IRF6215L
- Méga source #: MEGA-IRF6215L
- Fabricant: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
- Emballage: Tube
- La description: MOSFET P-CH 150V 13A TO-262
- Rohs conforme: Contient du plomb / Non conforme à RoHS
- Datasheet:
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En stock: 58470
Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard IRF6215L
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-262 |
| Séries | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 6.6A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 3.8W (Ta), 110W (Tc) |
| Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Autres noms | *IRF6215L |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 860pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 66nC @ 10V |
| type de FET | P-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 150V |
| Description détaillée | P-Channel 150V 13A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Through Hole TO-262 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 13A (Tc) |
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