AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleZXMN3A03E6TA
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ZXMN3A03E6TA
- Méga source #: MEGA-ZXMN3A03E6TA
- Fabricant: Diodes Incorporated
- Emballage: Tape & Reel (TR)
- La description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6
- Rohs conforme: Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Datasheet:
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En stock: 54947
Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard ZXMN3A03E6TA
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | SOT-23-6 |
| Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 7.8A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 1.1W (Ta) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | SOT-23-6 |
| Autres noms | ZXMN3A03E6TR |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 20 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 12.6nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 30V |
| Description détaillée | N-Channel 30V 3.7A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-6 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 3.7A (Ta) |
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