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Composants de circuit intégré d'emballage standard IXFN32N60
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 8mA |
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Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | SOT-227B |
Séries | HiPerFET™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 500mA, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 520AW (Tc) |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | SOT-227-4, miniBLOC |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 9000pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 325nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 600V |
Description détaillée | N-Channel 600V 32A (Tc) 520AW (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 32A (Tc) |