AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaires (BJT) - SingleZXTN2010A
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ZXTN2010A
- Méga source #: MEGA-ZXTN2010A
- Fabricant: Diodes Incorporated
- Emballage: Bulk
- La description: TRANS NPN 60V 4.5A TO92-3
- Rohs conforme: Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
- Datasheet:
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En stock: 54125
Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard ZXTN2010A
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 60V |
|---|---|
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 210mV @ 200mA, 5A |
| Transistor Type | NPN |
| Package composant fournisseur | TO-92 |
| Séries | - |
| Puissance - Max | 1W |
| Emballage | Bulk |
| Package / Boîte | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition | 130MHz |
| Description détaillée | Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 4.5A 130MHz 1W Through Hole TO-92 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 2A, 1V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 4.5A |
| Numéro de pièce de base | ZXTN2010A |
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