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Composants de circuit intégré d'emballage standard SUD50N02-09P-GE3
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | TO-252 |
Séries | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 20A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 39.5W (Tc) |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 10V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 20V |
Description détaillée | N-Channel 20V 20A (Ta) 39.5W (Tc) Surface Mount TO-252 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 20A (Ta) |