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APT65GP60B2G
- Méga source #: MEGA-APT65GP60B2G
- Fabricant: Microsemi
- Emballage: Tube
- La description: IGBT 600V 100A 833W TMAX
- Rohs conforme: Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Datasheet:
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Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard APT65GP60B2G
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 600V |
|---|---|
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 65A |
| Condition de test | 400V, 65A, 5 Ohm, 15V |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 30ns/91ns |
| énergie de commutation | 605µJ (on), 896µJ (off) |
| Séries | POWER MOS 7® |
| Puissance - Max | 833W |
| Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-247-3 Variant |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Type d'entrée | Standard |
| type de IGBT | PT |
| gate charge | 210nC |
| Description détaillée | IGBT PT 600V 100A 833W Through Hole |
| Courant - Collecteur pulsée (Icm) | 250A |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100A |
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