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Composants de circuit intégré d'emballage standard SI2392DS-T1-GE3
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | SOT-23 |
Séries | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 126 mOhm @ 2A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Autres noms | SI2392DS-T1-GE3TR |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 196pF @ 50V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 10.4nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 100V |
Description détaillée | N-Channel 100V 3.1A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 3.1A (Tc) |