AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleBSC046N02KS G
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BSC046N02KS G
- Méga source #: MEGA-BSC046N02KS G
- Fabricant: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
- Emballage: Tape & Reel (TR)
- La description: MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8
- Rohs conforme: Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Datasheet:
Notre certification
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En stock: 56856
Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard BSC046N02KS G
| Tension - Test | 4100pF @ 10V |
|---|---|
| Tension - Ventilation | PG-TDSON-8 |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.6 mOhm @ 50A, 4.5V |
| Vgs (Max) | 2.5V, 4.5V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Séries | OptiMOS™ |
| État RoHS | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19A (Ta), 80A (Tc) |
| Polarisation | 8-PowerTDFN |
| Autres noms | BSC046N02KS G-ND BSC046N02KS GTR BSC046N02KSG BSC046N02KSGAUMA1 SP000379666 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 16 Weeks |
| Référence fabricant | BSC046N02KS G |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 27.6nC @ 4.5V |
| type de IGBT | ±12V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 1.2V @ 110µA |
| Fonction FET | N-Channel |
| Description élargie | N-Channel 20V 19A (Ta), 80A (Tc) 2.8W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 |
| Tension drain-source (Vdss) | - |
| La description | MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 20V |
| Ratio de capacité | 2.8W (Ta), 48W (Tc) |
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