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Composants de circuit intégré d'emballage standard GA05JT12-247
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
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Vgs (Max) | - |
La technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Package composant fournisseur | TO-247AB |
Séries | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 5A |
Dissipation de puissance (max) | 106W (Tc) |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | TO-247-3 |
Autres noms | 1242-1185 GA05JT12247 |
Température de fonctionnement | 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
type de FET | - |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | - |
Tension drain-source (Vdss) | 1200V |
Description détaillée | 1200V 5A (Tc) 106W (Tc) Through Hole TO-247AB |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 5A (Tc) |