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Composants de circuit intégré d'emballage standard SPD11N10
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 21µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | P-TO252-3 |
Séries | SIPMOS® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170 mOhm @ 7.8A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 50W (Tc) |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Autres noms | SP000013847 SPD11N10INTR SPD11N10XT SPD11N10XT-ND |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 18.3nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 100V |
Description détaillée | N-Channel 100V 10.5A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount P-TO252-3 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 10.5A (Tc) |