AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaires (BJT) - SingleTN3019A_J05Z
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TN3019A_J05Z
- Méga source #: MEGA-TN3019A_J05Z
- Fabricant: AMI Semiconductor/onsemi
- Emballage: Bulk
- La description: TRANS NPN 80V 1A TO-226
- Rohs conforme: Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Datasheet:
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En stock: 52985
Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard TN3019A_J05Z
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 80V |
|---|---|
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Transistor Type | NPN |
| Package composant fournisseur | TO-226 |
| Séries | - |
| Puissance - Max | 1W |
| Emballage | Bulk |
| Package / Boîte | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition | 100MHz |
| Description détaillée | Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 100MHz 1W Through Hole TO-226 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 1A |
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