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IDT70P3307S233RM
- Méga source #: MEGA-IDT70P3307S233RM
- Fabricant: IDT (Renesas Electronics Corporation)
- Emballage: Tray
- La description: IC SRAM 18M PARALLEL 576FCBGA
- Rohs conforme: Contient du plomb / Non conforme à RoHS
- Datasheet:
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En stock: 58666
Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard IDT70P3307S233RM
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
|---|---|
| Tension - Alimentation | 1.7 V ~ 1.9 V |
| La technologie | SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II |
| Package composant fournisseur | 576-FCBGA (25x25) |
| Séries | - |
| Emballage | Tray |
| Package / Boîte | 576-BBGA, FCBGA |
| Autres noms | 70P3307S233RM |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 4 (72 Hours) |
| Type de mémoire | Volatile |
| Taille mémoire | 18Mb (1M x 18) |
| Interface mémoire | Parallel |
| Format de mémoire | SRAM |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Description détaillée | SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II Memory IC 18Mb (1M x 18) Parallel 233MHz 7.2ns 576-FCBGA (25x25) |
| Fréquence d'horloge | 233MHz |
| Numéro de pièce de base | IDT70P3307 |
| Temps d'accès | 7.2ns |
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