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SPD04P10PGBTMA1
- Méga source #: MEGA-SPD04P10PGBTMA1
- Fabricant: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
- Emballage: Tape & Reel (TR)
- La description: MOSFET P-CH 100V 4A TO252-3
- Rohs conforme: Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Datasheet:
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En stock: 57916
Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard SPD04P10PGBTMA1
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 380µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | PG-TO252-3 |
| Séries | SIPMOS® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 2.8A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 38W (Tc) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Autres noms | SP000212230 SPD04P10P G SPD04P10P G-ND SPD04P10PGBTMA1TR |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 319pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| type de FET | P-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 100V |
| Description détaillée | P-Channel 100V 4A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 4A (Tc) |
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