AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleTPCC8002-H(TE12LQM
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TPCC8002-H(TE12LQM
- Méga source #: MEGA-TPCC8002-H(TE12LQM
- Fabricant: TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
- Emballage: Cut Tape (CT)
- La description: MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
- Rohs conforme: Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Datasheet:
Notre certification
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En stock: 50200
Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard TPCC8002-H(TE12LQM
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Séries | U-MOSV-H |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.3 mOhm @ 11A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 700mW (Ta), 30W (Tc) |
| Emballage | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte | 8-PowerVDFN |
| Autres noms | TPCC8002-H(TE12LQMCT TPCC8002HTE12LQM |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 30V |
| Description détaillée | N-Channel 30V 22A (Ta) 700mW (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 22A (Ta) |
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