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Composants de circuit intégré d'emballage standard SI3443DVTR
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±12V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | Micro6™(TSOP-6) |
Séries | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 4.4A, 4.5V |
Dissipation de puissance (max) | 2W (Ta) |
Emballage | Cut Tape (CT) |
Package / Boîte | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Autres noms | *SI3443DVTR SI3443DVCT |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1079pF @ 10V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
type de FET | P-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 2.5V, 4.5V |
Tension drain-source (Vdss) | 20V |
Description détaillée | P-Channel 20V 4.4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6) |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 4.4A (Ta) |