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Composants de circuit intégré d'emballage standard MB85R256GPF-G-BNDE1
Écrire le temps de cycle - Word, Page | 150ns |
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Tension - Alimentation | 2.7 V ~ 3.6 V |
La technologie | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Séries | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Taille mémoire | 256Kb (32K x 8) |
Interface mémoire | Parallel |
Format de mémoire | FRAM |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Description détaillée | FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 150ns |
Temps d'accès | 150ns |