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Composants de circuit intégré d'emballage standard TPD3215M
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
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Package composant fournisseur | Module |
Séries | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34 mOhm @ 30A, 8V |
Puissance - Max | 470W |
Emballage | Bulk |
Package / Boîte | Module |
Autres noms | TPH3215M TPH3215M-ND |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2260pF @ 100V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 8V |
type de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Fonction FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
Tension drain-source (Vdss) | 600V |
Description détaillée | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 70A (Tc) 470W Through Hole Module |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 70A (Tc) |