L'étiquette et le marquage corporel de l'APTM120DA30T1G peuvent être fournis après la commande.
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Composants de circuit intégré d'emballage standard APTM120DA30T1G
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
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Vgs (Max) | ±30V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | SP1 |
Séries | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 25A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 657W (Tc) |
Emballage | Bulk |
Package / Boîte | SP1 |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 32 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 14560pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 560nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 1200V |
Description détaillée | N-Channel 1200V 31A (Tc) 657W (Tc) Chassis Mount SP1 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 31A (Tc) |