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SPD06N60C3BTMA1
- Méga source #: MEGA-SPD06N60C3BTMA1
- Fabricant: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
- Emballage: Digi-Reel®
- La description: MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-252
- Rohs conforme: Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Datasheet:
Notre certification
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En stock: 53943
Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard SPD06N60C3BTMA1
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 260µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | PG-TO252-3 |
| Séries | CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750 mOhm @ 3.9A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 74W (Tc) |
| Emballage | Original-Reel® |
| Package / Boîte | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Autres noms | SPD06N60C3BTMA1DKR SPD06N60C3INDKR SPD06N60C3INDKR-ND |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 620pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 650V |
| Description détaillée | N-Channel 650V 6.2A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 6.2A (Tc) |
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