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Composants de circuit intégré d'emballage standard IRF7811APBF
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±12V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | 8-SO |
Séries | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 11A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 2.5W (Ta) |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Autres noms | SP001555634 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1760pF @ 15V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 4.5V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V |
Tension drain-source (Vdss) | 28V |
Description détaillée | N-Channel 28V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 11A (Ta) |