L'étiquette et le marquage corporel de l'VQ1001P-E3 peuvent être fournis après la commande.
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Composants de circuit intégré d'emballage standard VQ1001P-E3
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
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Package composant fournisseur | 14-DIP |
Séries | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.75 Ohm @ 200mA, 5V |
Puissance - Max | 2W |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 15V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | - |
type de FET | 4 N-Channel |
Fonction FET | Logic Level Gate |
Tension drain-source (Vdss) | 30V |
Description détaillée | Mosfet Array 4 N-Channel 30V 830mA 2W Through Hole 14-DIP |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 830mA |