AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNTTS2P02R2
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NTTS2P02R2
- Méga source #: MEGA-NTTS2P02R2
- Fabricant: AMI Semiconductor/onsemi
- Emballage: Tape & Reel (TR)
- La description: MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO
- Rohs conforme: Contient du plomb / Non conforme à RoHS
- Datasheet:
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En stock: 59620
Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard NTTS2P02R2
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±8V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | Micro8™ |
| Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max) | 780mW (Ta) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| Autres noms | NTTS2P02R2OS |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 550pF @ 16V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
| type de FET | P-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 2.5V, 4.5V |
| Tension drain-source (Vdss) | 20V |
| Description détaillée | P-Channel 20V 2.4A (Ta) 780mW (Ta) Surface Mount Micro8™ |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 2.4A (Ta) |
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NTTS2P02R2 FAQ
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