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Composants de circuit intégré d'emballage standard MB85RS2MTAPH-G-JNE2
Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
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Tension - Alimentation | 1.8 V ~ 3.6 V |
La technologie | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Package composant fournisseur | 8-DIP |
Séries | - |
Emballage | Tray |
Package / Boîte | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Autres noms | 865-1285 MB85RS2MTAPH-G-JNE2-ND |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Taille mémoire | 2Mb (256K x 8) |
Interface mémoire | SPI |
Format de mémoire | FRAM |
Délai de livraison standard du fabricant | 20 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Description détaillée | FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 2Mb (256K x 8) SPI 40MHz 8-DIP |
Fréquence d'horloge | 40MHz |